- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 104V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@6.15V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 105pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 700fF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
一款350 W的LDMOS射频功率晶体管,适用于广播发射机和工业应用。该器件出色的耐用性使其非常适合数字和模拟发射机应用。
商品特性
- 出色的耐用性
- 最佳的热性能和可靠性,Rth(j - c) = 0.22 K/W
- 高功率增益
- 高效率
- 专为宽带运行设计(470 MHz至860 MHz)
- 内部输入匹配,实现高增益和最佳宽带运行
- 出色的可靠性
- 易于进行功率控制
- 符合《关于限制在电子电器设备中使用某些有害成分的指令》(RoHS)2002/95/EC
应用领域
-UHF频段通信发射机应用-UHF频段工业应用
- ZSS-115-04-T-D-750
- 09675159615
- S-1701P3338-U5T1U
- AFE7769EVM
- 620AA008-10K
- 660-015M08R3-01
- HF45S10
- GMA.2B.057.RA
- 535-53AB03-503
- SIT8208AC-81-25S-48.000000
- GCM1885G1H132JA16D
- 19-26-5550-0575
- SG-8018CA 34.5600M-TJHSA0
- 0670-0-15-01-30-02-10-0
- 3QHM53C0.125-28.6363
- MAX1757EVKIT
- 10-301500
- 0613-0-15-80-21-27-10-0
- CE3390-1.544
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- 140-508-415-101