NV6158-RA

这款GaNFast™功率IC集成了高性能的eMode GaN FET和集成栅极驱动，实现了前所未有的高频和高效率运行。还集成了GaNSense™技术，可以实时、准确地感应电压、电流和温度，从而进一步提高性能和鲁棒性，这是任何分立的GaN或分立硅器件都无法实现的。GaNSense™技术能够实现无损电流感应，消除了外部电流感应电阻，并提高了系统效率。GaNSense™技术还能够提供短路和过温保护，以增加系统的鲁棒性，而自动待机模式则提高了轻载、空载效率。这些GaN IC结合了最高的dV/dt抗扰度、高速集成驱动以及行业标准的低剖面、低电感SMT QFN封装，使设计人员能够实现简单、快速且可靠的解决方案。Navitas的GaN IC技术扩展了传统拓扑结构（如反激式、半桥、降压/升压、LLC及其他谐振转换器）的能力，使其能够在非常高的频率下运行，并具有非常高的效率和低EMI，从而以极具吸引力的成本结构实现前所未有的功率密度。

• AC-DC、DC-DC、DC-AC
• QR 反激、PFC、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC 谐振、D类放大器
• 无线充电、太阳能微型逆变器、LED照明、电视开关电源、服务器、电信