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GT20N135SRA,S1E引脚图
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  • 焊盘图

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GT20N135SRA,S1E

GT20N135SRA,S1E

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品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
GT20N135SRA,S1E
商品编号
C17622325
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
耗散功率(Pd)312W
集射极击穿电压(Vces)1.35kV
集电极电流(Ic)40A
栅极阈值电压(Vge(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)185nC
开启延迟时间(Td(on))-
关断延迟时间(Td(off))-
导通损耗(Eon)-
工作温度-

商品特性

  • 第6.5代
  • RC - IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管(FWD)组成
  • 增强模式
  • 高速开关:IGBT关断时间tf = 0.25 μs(典型值)(集电极电流IC = 40 A)
  • 低饱和电压:集电极 - 发射极饱和电压VCE(sat) = 1.60 V(典型值)(集电极电流IC = 20 A,环境温度Ta = 25 °C)
  • 高结温:结温Tj = 175 ~ °C(最大值)

应用领域

电压谐振逆变器开关应用、软开关应用、电磁炉和家用电器应用

数据手册PDF