商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 348pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 586pF |
- 630-5W1-640-4TB
- VK104MK151R014P050
- TSSH-115-01-L-D
- M30-6000346
- GCM1885C1H8R3BA16D
- 512AAA000439AAG
- SIT9365AI-4B3-25E212.500000
- SIT1602BC-83-33E-24.000000
- 96_MMBX-50-0-3/111_NH
- SIT8208AI-31-18E-18.432000
- XPEBBL-L1-R250-00203
- 1731090259
- 663-009-664-036
- SG-8018CG 37.2090M-TJHPA0
- SIT8208AI-83-18S-72.000000
- SIT1602BI-11-33E-4.000000
- 532PA000454DGR
- SIT8208AC-81-18E-16.369000
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- SG-8018CA 19.6606M-TJHSA0
- 3-641120-9

