SI4953DY
2个P沟道 耐压:30V 电流:4.9A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI4953DY
- 商品编号
- C17620161
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
一款1400 W的超坚固LDMOS功率晶体管，适用于高频至128 MHz频段的广播和工业应用。
商品特性
- -4.9 A,-30 V。在VGS = -10 V时,RDS(on) = 0.053 Ω
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(on) = 0.095 Ω
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-电池开关-负载开关-电机控制
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