ALD910017SAL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.72V@1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
双推挽硅N沟道增强型垂直D-MOS晶体管，采用带两个陶瓷帽的4引脚SOT262A1平衡法兰封装。安装法兰为晶体管提供公共源极连接。
商品特性
- 高功率增益
- 易于功率控制
- 良好的热稳定性
- 镀金金属化确保出色的可靠性。
应用领域
- VHF频段的广播发射机。
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