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ALD910017SAL

2个N沟道

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品牌名称
ALD
商品型号
ALD910017SAL
商品编号
C17619553
商品封装
SOIC-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.23克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)10.6V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))1.72V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)30pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度0℃~+70℃
类型-
输出电容(Coss)-

商品概述

双推挽硅N沟道增强型垂直D-MOS晶体管,采用带两个陶瓷帽的4引脚SOT262A1平衡法兰封装。安装法兰为晶体管提供公共源极连接。

商品特性

  • 使用简单且经济
  • 工厂精确微调
  • 自动调节和平衡漏电流
  • 有效实现超级电容器充电平衡
  • 单个 IC 封装可平衡多达 4 个超级电容器
  • 可平衡 2 节、3 节、4 节串联的超级电容器
  • 可扩展至更大的超级电容器组和阵列
  • 几乎零额外漏电流
  • 在额定电压以下 0.3V 时零漏电流
  • 可平衡串联和/或并联连接的超级电容器
  • 漏电流是电池电压的指数函数
  • 有源电流范围从 <0.3nA 到 >1000μA
  • 始终处于工作状态,响应时间快
  • 最小化漏电流和功耗

应用领域

-串联超级电容器单元漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功率分压器-匹配电流镜和电流源-零功率模式最大电压限制器-扩展的超级电容器组和阵列

数据手册PDF