- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FP75R12N2T7B11BPSA2
FP75R12N2T7B11BPSA2
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FP75R12N2T7B11BPSA2
- 商品编号
- C17618316
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 20mW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 15.1nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 53pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 146ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 320ns | |
| 导通损耗(Eon) | 8.05mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.95mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 电气特性 - VCES 梯度 = 1200 V - Ic（标称） = 75 A / Icrm = 150 A - TRENCHSTOPTM IGBT7 - 低 VCEsat - 高达 175℃ 的过载运行
- 机械特性 - 高功率和热循环能力 - 集成 NTC 温度传感器 - 铜基板 - 低热阻的 Al₂O₃ 基板 - PressFIT 接触技术
应用领域
辅助逆变器、电机驱动器、伺服驱动器
- M85049/82-20N03
- C091 00U000 130 2
- 0310731012
- CTCDRH127F-821J
- SIT9365AC-4E1-25N166.666666
- TFM-110-11-L-D-LC
- SIT1602BC-72-28S-28.636300
- SG-8018CG 28.593750M-TJHPA0
- 102699-8
- CVCO55BE-1000-2000
- XP1042-QT-EV1
- 75-190528-21P
- SIT1602BC-13-XXN-14.000000
- 638-078-230-241
- 10-300300
- TSS-114-03-S-S
- MTGBEZ-00-0000-0B0HM040H
- M83723/59-224WR
- SCRH64-100
- PLBR40250
- CMB1825-R096-000N0H0A27G