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DMGD7N45SSD-13

N沟道耐压:450V 电流:0.5A

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描述: 这款新一代互补型MOSFET具有低导通电阻和快速开关的特点，非常适合高效电源管理应用。
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: DMGD7N45SSD-13
商品编号: C17617606
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.173181克(g)

商品参数

商品概述

MwT-PH32F是一款AlGaAs/InGaAs pHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）器件，其标称栅长为0.25微米、栅宽为1600微米，非常适用于在高达12.0 GHz频率范围内需要高功率和高功率附加效率的应用。该器件在宽带或窄带应用中同样有效。该芯片采用可靠的金属系统制造，并经过钝化处理，以确保出色的可靠性。

商品特性

-低输入电容-适用于电源应用的高BVdss额定值-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101标准,具备高可靠性

应用领域

-电机控制-背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	450V
	连续漏极电流(Id)	500mA
	导通电阻(RDS(on))	4Ω@10V
	耗散功率(Pd)	1.64W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	6.9nC@10V
	输入电容(Ciss)	256pF
	反向传输电容(Crss)	0.83pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	22.5pF