- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IS66WV51216EBLL-55TLI-TR
8Mb低电压超低功耗伪CMOS静态RAM
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS66WV51216EBLL-55TLI-TR
- 商品编号
- C17616289
- 商品封装
- TSOP-44-10.2mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.828克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.5V~3.6V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 28mA | |
| 待机电流 | 130uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能；内置写抑制功能 |
- IS66WVS2M8ALL-104NLI
- IS43LR16160H-6BL
- SI5338M-B02920-GM
- SI5334A-B13689-GMR
- AS4C64M16D1A-6BIN
- W66BP6NBUAFJ TR
- S27KL0642GABHI033
- 9DBL0455NLGI8
- SI5338A-B08606-GM
- EM6HE08EW3F-12H
- IS43DR81280B-3DBLI-TR
- W97BH2MBVA1E
- SI5338N-B03385-GMR
- SI5338C-B02523-GMR
- IS43R86400F-6TL-TR
- SI5338A-B04097-GM
- S80KS5123GABHI023
- IS46TR16256BL-107MBLA1
- IS43R16160D-6TL-TR
- IS43LR16640C-6BL-TR
- SI5338Q-B04069-GM