- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 20mW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 450A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 900A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V；1.75V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V；6.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8uC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 27.5nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 820pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 93ns；85ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 520ns；480ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.4mJ；4.9mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 23.5mJ；30mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 阻断电压能力提高至650V
- 直流母线电压提高
- 高短路能力
- 高浪涌电流能力
- 高电流密度
- 最高工作温度Tvip = 150°C
- 沟槽IGBT 4
- 高功率密度
- 集成NTC温度传感器
- 隔离底板
- 铜底板
- 标准外壳
应用领域
商用农业车辆、电机驱动、太阳能应用、UPS系统
- FWLF1631R25-C
- DD26S20WE30
- QSCP251Q1R8A1GV001T
- SG-8018CE 24.1000M-TJHPA0
- SKY12245-492EK1
- SG-8018CG 17.2032M-TJHPA0
- QTM252-33.000MBE-T
- 542BCA002598ACGR
- 514CCC000111AAGR
- SG-8018CB 50.1667M-TJHSA0
- 160-10-324-00-001000
- 292165-8
- GP55-16R9-FTW
- XHP70B-00-0000-0D0UK40E5
- GCM32DC72A475ME02K
- MX6AWT-A1-R250-000AB4
- AB-EZD06R-A3
- 0741620224
- MURS120HE3_A/I
- P16RP472MAB15
- IPL1-107-02-S-D-K