商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 4A | |
| 工作电压 | 700V | |
| 导通电阻 | 330mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款GaNFast™功率IC集成了高性能增强模式GaN FET和集成栅极驱动,实现了前所未有的高频和高效率运行。还集成了GaNSense™技术,能够实时、准确地感应电压、电流和温度,从而进一步提高性能和鲁棒性,这是任何分立的GaN或硅器件无法实现的。GaNSense™支持无损电流感应,消除了外部电流感应电阻,并提高了系统效率。GaNSense™还提供了短路和过温保护,以增强系统的鲁棒性,而自动待机模式则提高了轻载、微小负载及空载时的效率。这些GaN IC结合了最高的dV/dt抗扰度、高速集成驱动以及行业标准的低剖面、低电感SMT QFN封装,使设计者能够实现简单、快速且可靠的解决方案。Navitas的GaN IC技术扩展了传统拓扑结构(如反激式、半桥、降压/升压、LLC和其他谐振转换器)的能力,使其能够在MHz+频率下达到非常高的效率和低EMI,从而在极具吸引力的成本结构下实现前所未有的功率密度。
应用领域
- AC-DC、DC-DC、DC-AC
- 高频操作高达2 MHz
- QR反激、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC谐振、D类放大器、PFC
- 无线充电、太阳能微型逆变器
- LED照明、电视开关电源、服务器、电信
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