- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJX138L_R1_00001
2个N沟道 耐压:60V 电流:160mA
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJX138L_R1_00001
- 商品编号
- C17613228
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 223mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.4pF |
商品概述
适用于2.7 GHz至3.5 GHz频率范围S波段雷达应用的30 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 当VGS为10V、ID为160mA时,RDS(ON)小于4.2Ω
- 当VGS为4.5V、ID为100mA时,RDS(ON)小于5Ω
- 当VGS为2.5V、ID为50mA时,RDS(ON)小于7Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 静电防护
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 符合IEC 61249标准的环保模塑化合物
应用领域
- 2.7 GHz至3.5 GHz频率范围的S波段雷达应用
- 516-056-541-351
- SIT8208AC-8F-28S-50.000000Y
- SPCM-800-41-BR2
- EL3H7(D)(TB)-G
- TFM-130-02-S-S-LC-P
- DC537A
- 5022R-224G
- SIT8208AI-2F-33S-48.000000X
- SG-8018CE 27.7100M-TJHPA0
- QTM532P-156.250MBD-T
- GCM1885C2A560GA16D
- 334-40-110-00-010000
- AZ2800-2C-24DE
- CPEX2622L-100MC
- 647H12503I2T
- TFM-110-32-L-D-A-P-TR
- O100H016EGPP5N0000
- MAX16029EVKIT+
- MILS1812-271K
- SIT8208AI-G2-33S-16.000000Y
- S1W0-2835309003-0000003S-0P003