R5550K001A-TR

R5550K系列是基于CMOS的负载开关IC。采用P沟道晶体管来实现低导通电阻（典型值180mΩ）和低电源电流（无负载运行时典型值为2.6μA）。在内部，单个IC由一个电压基准单元、一个误差放大器、用于设置输出电压的电阻和一个限流电路组成。IC内部高精度固定输出电压。R5550K适用于监测可能从锂离子电池（单节）流向连接到每个负载的电源线的异常电流。如果检测到异常电流，开关将在一定时间（死区时间）后关闭。 如果检测到过流，开关将在10ms的死区时间后关闭。如果输出电流超过输出电流限制，输出限流电路将在4µs的短路电流响应时间后立即控制输出电流。然后，开关将在1.33ms的死区时间后关闭。 R5550K还包括一个用于监测异常电压的电压检测引脚。如果检测到异常电压，开关将在10ms的死区时间后关闭。 作为保护电路，R5550K包含一个输出限流电路、一个短路电流保护电路和一个欠压锁定（UVLO）电路。 R5550K采用DFN(PL)1010 - 4F封装，可实现高密度安装。

• 内置单个P沟道MOSFET 输入电压范围：2.3V至5.25V
• 电源电流（Iout = 0mA）：典型值2.6μA
• 开关导通电阻：典型值180mΩ（VIN = 3.3V）
• 输出电流：最小值1000mA
• 封装：DFN(PL)1010 - 4F
• 电流限制阈值：最小值300mA
• 输出电流限制：最小值1000mA
• 开关操作（关断后）：自动恢复类型

• 便携式通信设备的负载开关