TCET1108G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | - | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.25V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 70V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@10mA,1mA | |
| 上升时间(tr) | 3us | |
| 下降时间 | 4.7us | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 130% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 260% | |
| 正向电流(If) | 60mA |
商品概述
TCET110由一个光电晶体管和一个砷化镓红外发光二极管通过光耦合组成，采用4引脚塑料双列直插式封装。
商品特性
- 高共模抑制比
- 电流传输比（CTR）的温度系数低，无铅
- CTR分为7组
- 加强型隔离提供防触电的电路保护（符合安全RoHS II类标准）
- 隔离材料符合UL 94 V-0标准
- 污染等级2（DIN / VDE 0110 / 对应IEC 60664）
- 气候分类55 / 100 / 21（IEC 60068第1部分）
- 额定脉冲电压（瞬态过电压）VIOTM = 6 kV峰值
- 隔离测试电压（局部放电测试电压）Vpd = 1.6 kV
- 额定隔离电压（有效值包括直流）V10WM = 600 VRMS
- 额定重复峰值电压（重复性）VIORM = 848 V峰值
- 根据VDE 0303 / IEC 60112的相比漏电起痕指数，耐漏电起痕性能：CTI ≥ 175
应用领域
- 根据安全II类（加强型隔离）标准的防触电安全保护隔离电路
- 适用于电源电压≤300 V的应用I至IV类
- 根据DIN EN 60747-5-5（VDE 0884），适用于电源电压≤600 V的应用I至III类，适用于：
- 开关电源
- 线路接收器
- 计算机外设接口
- 微处理器系统接口
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