TPS2010DR

TPS201x系列电源分配开关适用于可能遇到大电容负载和短路的应用场景。高端开关是一个95毫欧的N沟道MOSFET。栅极驱动由内部驱动器和电荷泵提供，该电荷泵旨在控制电源开关的上升时间和下降时间，以减少开关过程中的电流浪涌。电荷泵工作频率为100kHz，无需外部元件，允许低至2.7V的电源供电。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，TPS201x通过切换到恒流模式将输出电流限制在安全水平。持续的重过载和短路会增加开关的功耗，导致结温升高。如果结温达到约180°C，热保护电路会关闭开关以防止损坏。一旦器件充分冷却，热关断恢复是自动的。

TPS201x系列成员仅在短路电流阈值上有所不同。TPS2010设计为在0.4A负载时限流；该系列的其他成员分别在1.2A、2A和2.6A限流（见可用选项表）。TPS201x系列采用8引脚小外形集成电路（SOIC）和14引脚薄收缩小外形（TSSOP）封装，工作结温范围为 -40°C至125°C。8引脚SOIC封装版本可直接替代Siliconix的Littlefoot功率PMOS开关，但必须连接GND。

电源开关是一个最大导通电阻为95毫欧（V_I(IN) = 5.5V）的N沟道MOSFET，配置为高端开关。

内部100kHz电荷泵为驱动电路供电，并提供必要的电压将MOSFET的栅极拉至源极之上。电荷泵可在低至2.7V的输入电压下工作，且所需电源电流非常小。

驱动器控制电源开关的栅极电压。为了限制大电流浪涌并减少相关的电磁干扰（EMI），驱动器包含控制输出电压上升时间和下降时间的电路。上升和下降时间通常在2ms至4ms范围内，而不是标准FET的微秒或纳秒范围。

EN输入上的逻辑高电平会关闭电源开关以及电荷泵、驱动器和其他电路的偏置，使电源电流降至小于10微安。逻辑零输入恢复驱动和控制电路的偏置并开启电源。使能输入与TTL和CMOS逻辑电平兼容。

检测FET监测提供给负载的电流。检测FET比传统电阻方法更有效地测量电流。当遇到过载或短路时，电流检测电路向驱动器发送控制信号。驱动器进而降低栅极电压，使功率FET进入其线性区域，将输出切换到恒流模式，并在改变负载电压的同时保持电流恒定。

内部热检测电路在结温升至约180°C时关闭电源开关。热检测具有迟滞特性，器件冷却约20度后，开关会重新开启。开关会持续循环开关，直到故障消除。

该芯片正确组装后，显示出与TPS201xC相似的特性。可在掺杂铝键合焊盘上使用热压或超声键合。芯片可以使用导电环氧树脂或金 - 硅预制件进行安装。

• 最大95毫欧（5.5V输入）高端MOSFET开关，带逻辑兼容使能输入
• 短路和热保护
• 典型短路电流限制：TPS2010为0.4A；TPS2011为1.2A；TPS2012为2A；TPS2013为2.6A
• 静电放电保护，输出12kV，其他所有端子6kV
• 控制上升和下降时间以限制电流浪涌并最小化EMI
• 当连接GND时，SOIC - 8封装引脚与流行的Littlefoot系列兼容
• 2.7V至5.5V工作范围
• 最大10微安待机电流
• 表面贴装SOIC - 8和TSSOP - 14封装
• -40°C至125°C工作结温范围