商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 630W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 183A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 7.43nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Tj) |
商品概述
IGBT模块H桥，V_CES = 1200V，l_C25 = 183A，V_CES00 = 1.8V，产品型号为MIEB101H1200EH。
商品特性
- SPT+ IGBT技术
- 低饱和电压
- 低开关损耗
- 方形RBSOA，无闩锁
- 高短路能力
- 正温度系数，便于并联
- MOS输入，电压控制
- SONIC™续流二极管，快速软反向恢复，低正向导通电压
- 可焊接引脚，用于PCB安装
- 带铜底板封装
应用领域
交流电机驱动、太阳能逆变器、医疗设备、不间断电源、空调系统
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