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NTE5523实物图
  • NTE5523商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTE5523

NTE5523

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品牌名称
NTE Electronics
商品型号
NTE5523
商品编号
C17610367
商品封装
TO-48​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录晶闸管(可控硅)/模块
可控硅类型1个单向可控硅
断态峰值电压(Vdrm)150V
通态电流(It)25A
属性参数值
通态峰值电压(Vtm)1.7V
门极触发电流(Igt)40mA
门极触发电压(Vgt)3V
工作温度-65℃~+125℃

商品特性

  • 阻断状态(TJ = +125°C,除非另有规定):重复峰值正向和反向电压,NTE5520为25V,NTE5521为50V,NTE5522为100V,NTE5523为150V,NTE5524为200V,NTE5525为250V,NTE5526为300V,NTE5527为400V,NTE5528为500V,NTE5529为600V,NTE5530为700V,NTE5531为800V;非重复瞬态峰值正向和反向电压(t ≤ 5.0msec),NTE5520为35V,NTE5521为75V,NTE5522为150V,NTE5523为225V,NTE5524为300V,NTE5525为350V,NTE5526为400V,NTE5527为500V,NTE5528为600V,NTE5529为780V,NTE5530为840V,NTE5531为960V;正向和反向泄漏电流(全周期平均),NTE5520为6.5mA,NTE5521为6.5mA,NTE5522为6.5mA,NTE5523为6.5mA,NTE5524为6.0mA,NTE5525为5.5mA,NTE5526为5.0mA,NTE5527为4.0mA,NTE5528为3.0mA,NTE5529为2.5mA,NTE5530为2.25mA,NTE5531为2.0mA
  • 导通状态(TJ = +125°C,除非另有规定):RMS正向电流为25A;正向电流(180°导通)为16A;60Hz半波熔断I²t为90A²sec;TJ = +25°C时(IF = 16A直流)的正向电压降为1.7V;工作结温范围为 -65°C至 +125°C;储存温度范围为 -65°C至 +150°C;最大热阻(结到壳)为1.3°C/W;最大螺纹扭矩(润滑后)为30英寸 - 磅
  • 门极参数(TJ = +25°C,除非另有规定):触发门极电流(VFB = 12V)为40mA;温度范围内触发门极电压(VFB = 12V)为3.0V;TJ = +125°C时(额定VFB)的非触发门极电压为0.25V;峰值正向门极电流为5A;峰值反向门极电压为5V;峰值门极功率为5W;平均门极功率为0.5W
  • 典型导通时间(IT = 10A,10 - 90%,VDRM = 10V,TJ = +25°C)为3μs;最小di/dt(线性至5.0IT(av))为25A/μs;典型关断时间(IT = 10A,TJ = +125°C,diR/dt = 10A/μs,dv/dt = 20V/μs,线性至0.8VDRM)为50μs;典型dv/dt(至VDRM)为100V/μs

数据手册PDF