NTE5523
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 150V | |
| 通态电流(It) | 25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.7V | |
| 门极触发电流(Igt) | 40mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 3V | |
| 工作温度 | -65℃~+125℃ |
商品特性
- 阻断状态(TJ = +125°C,除非另有规定):重复峰值正向和反向电压,NTE5520为25V,NTE5521为50V,NTE5522为100V,NTE5523为150V,NTE5524为200V,NTE5525为250V,NTE5526为300V,NTE5527为400V,NTE5528为500V,NTE5529为600V,NTE5530为700V,NTE5531为800V;非重复瞬态峰值正向和反向电压(t ≤ 5.0msec),NTE5520为35V,NTE5521为75V,NTE5522为150V,NTE5523为225V,NTE5524为300V,NTE5525为350V,NTE5526为400V,NTE5527为500V,NTE5528为600V,NTE5529为780V,NTE5530为840V,NTE5531为960V;正向和反向泄漏电流(全周期平均),NTE5520为6.5mA,NTE5521为6.5mA,NTE5522为6.5mA,NTE5523为6.5mA,NTE5524为6.0mA,NTE5525为5.5mA,NTE5526为5.0mA,NTE5527为4.0mA,NTE5528为3.0mA,NTE5529为2.5mA,NTE5530为2.25mA,NTE5531为2.0mA
- 导通状态(TJ = +125°C,除非另有规定):RMS正向电流为25A;正向电流(180°导通)为16A;60Hz半波熔断I²t为90A²sec;TJ = +25°C时(IF = 16A直流)的正向电压降为1.7V;工作结温范围为 -65°C至 +125°C;储存温度范围为 -65°C至 +150°C;最大热阻(结到壳)为1.3°C/W;最大螺纹扭矩(润滑后)为30英寸 - 磅
- 门极参数(TJ = +25°C,除非另有规定):触发门极电流(VFB = 12V)为40mA;温度范围内触发门极电压(VFB = 12V)为3.0V;TJ = +125°C时(额定VFB)的非触发门极电压为0.25V;峰值正向门极电流为5A;峰值反向门极电压为5V;峰值门极功率为5W;平均门极功率为0.5W
- 典型导通时间(IT = 10A,10 - 90%,VDRM = 10V,TJ = +25°C)为3μs;最小di/dt(线性至5.0IT(av))为25A/μs;典型关断时间(IT = 10A,TJ = +125°C,diR/dt = 10A/μs,dv/dt = 20V/μs,线性至0.8VDRM)为50μs;典型dv/dt(至VDRM)为100V/μs
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