商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 直流电流增益(hFE) | 10000 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
NTE268（NPN）和 NTE269（PNP）是采用 TO202 封装的硅互补达林顿晶体管，专为需要高增益的放大器和驱动器应用而设计，也适用于低功率灯和继电器驱动器，以及如电压调节器等高电流应用的功率驱动器。
商品特性
- 低集电极 - 发射极饱和电压：在集电极电流 IC= 1.5A时，VCE 最大为 1.5 V
- TO202 封装：在环境温度 TA= +25℃时，自由空气散热功率为 2W
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