商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@3.75V,630mA | |
| 耗散功率(Pd) | 10W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@18mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
VRF 152G专为频率高达175 MHz的宽带商业应用而设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能使适用于调频广播或电视频道频段的固态发射机成为可能。
商品特性
- 增强耐用性，V(BR)DSS = 130 V
- 在175 MHz、50 V条件下，功率300 W，典型增益16 dB
- 出色的稳定性和低互调失真
- 共源极配置
- 符合RoHS标准
- 在指定工作条件下具备5:1负载电压驻波比能力
- 氮化物钝化处理
- 难熔金金属化
- 可高效替代MRF151G
应用领域
- 调频广播-电视频道频段
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