Name: NTE Electronics NTE5387
Brand: NTE Electronics
SKU: C17608106
Price: 2614.71 CNY
Availability: OutOfStock

重复峰值电压：NTE5386的VDRM、VRRM为600V，NTE5387为1200V
非重复峰值断态电压：NTE5386的VDSM为600V，NTE5387为1200V
非重复峰值反向阻断电压：NTE5386的VRSM为700V，NTE5387为1300V
平均通态电流：散热器温度+55℃、双面冷却时为745A；散热器温度<85℃、单面冷却时为261A
均方根通态电流：散热器温度+25℃、双面冷却时，IT(RMS)为1535A
连续通态电流：散热器温度+25℃、双面冷却时，IT为1180A
峰值单周期浪涌（非重复）通态电流：t = 10ms、60% VRRM重新施加时为9500A；t = 10ms、VR ≤ 10V时为10450A
最大允许浪涌能量：VR ≤ 10V，t = 10ms时，I²t为546000A²sec；t = 3ms时为400000A²sec
峰值正向栅极电流：IFGM为20A
峰值正向栅极电压：VFGM为23V
峰值反向栅极电压：VRGM为5V
平均栅极功率：PG(AV)为4W
峰值栅极功率（脉宽100μs）：PGM为120W
断态电压上升率（至80% VDRM，栅极开路）：dv/dt为200V/μs
通态电流上升率：重复时为500A/μs，非重复时为1000A/μs
工作温度范围：TC为 -40℃至 +125℃
储存温度范围：Tstg为 -40℃至 +150℃
热阻：结到散热器，双面冷却为0.047℃/W，单面冷却为0.094℃/W
峰值通态电压（ITM = 1500A）：VTM为1.9V
正向导通阈值电压：V0为1.43V
正向导通斜率电阻：r为0.31mΩ
重复峰值断态电流（在额定VDRM下）：IDRM为75mA
重复峰值反向电流（在额定VRRM下）：IRRM为75mA
触发所有器件所需的最大栅极电流（TJ = +25℃，VA = 6V，lA = 2A）：IGT为300mA
触发所有器件所需的最大栅极电压（TJ = +25℃，VA = 6V，lA = 2A）：VGT为3V
最大保持电流（TJ = +25℃，VA = 6V，lA = 1A）：lH为1A
不会触发任何器件的最大栅极电压：VGD为0.25V
典型存储电荷（ITM = 800A，dir/dt = 50A/μs，VRM = 50V，50%弦值）：Qrr为150μc
电路换向关断时间：最大（dv/dt = 200V/μs至80% VDRM）为20 - 35μs；典型（dv/dt = 20V/μs至80% VDRM）为15 - 30μs

	属性	参数值
	商品目录	晶闸管(可控硅)/模块
	可控硅类型	1个单向可控硅
	断态峰值电压(Vdrm)	1.2kV
	通态电流(It)	1.535kA
	通态峰值电压(Vtm)	1.9V

	属性	参数值
	门极触发电流(Igt)	300mA
	门极触发电压(Vgt)	3V
	保持电流(Ih)	1A
	工作温度	-40℃~+125℃

NTE5387

商品参数

商品特性

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