商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 4V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 2.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品特性
- 对于环境温度高于 +25℃,以 1.7mW/℃ 的速率线性降额
- SIT8208AC-81-25E-54.000000
- 289-031
- SIT1602BI-33-18S-38.000000
- 545BAA125M000BCG
- PD-IM-7618T4H
- 687-096
- 09676257658
- 25QHM572C0.25-81.100
- 5645951-5
- SIT1602BC-13-18N-66.660000
- 6023-0-15-80-21-27-10-0
- SIT1602BI-32-XXS-66.600000
- 1324.17.0116
- SIT1602BC-31-33E-24.000000
- M83723/60-114WT
- 407-BBOJ-C
- 25QHM572D0.25-56.000
- 4-640605-1
- 1.10.001.001/0205
- 622-009-260-032
- SIT9365AC-2E3-25E155.520000

