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MWT-PH32F实物图
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MWT-PH32F

MWT-PH32F

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品牌名称
AEI
商品型号
MWT-PH32F
商品编号
C17606337
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)-
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
类型-
输出电容(Coss)-

商品概述

MwT-PH32F是一款AlGaAs/InGaAs pHEMT(赝配高电子迁移率晶体管)器件,其标称栅长为0.25微米、栅宽为1600微米,非常适用于在高达12.0 GHz频率范围内需要高功率和高功率附加效率的应用。该器件在宽带或窄带应用中同样有效。该芯片采用可靠的金属系统制造,并经过钝化处理,以确保出色的可靠性。

商品特性

  • 在12 GHz频率下输出功率为30.5 dBm
  • 在12 GHz频率下小信号增益为13 dB
  • 在12 GHz频率下功率附加效率为43%
  • 0.25 x 1600微米难熔金属/金栅极
  • 非常适合高功率、高增益和高功率附加效率应用

应用领域

-商业应用

数据手册PDF