ALD212904PAL

ALD212904精密增强型N沟道EPAD MOSFET阵列采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行精密匹配。这些双单片器件是ALD110904 EPAD MOSFET系列的增强版,具有更高的正向跨导和输出电导,特别是在非常低的电源电压下。 ALD212904适用于低电压、低功耗小信号应用,其特点是具有精确的+0.40V阈值电压,这使得输入/输出信号可参考非常低的工作电压范围进行电路设计。使用这些器件,可以构建多级级联电路,使其在极低的电源/偏置电压水平下工作。例如,已成功使用这些器件构建了一个工作电源电压低于0.2V的微功耗输入放大器级。 ALD212904 EPAD MOSFET具有出色的匹配对电气特性,栅极阈值电压VGS(th)精确设置为+0.40V ± 0.020V,在VDS = 0.10V时,IDS = +20μA,典型失调电压仅为± 0.002V(2mV)。它们基于单块芯片构建,还具有出色的温度跟踪特性。这些精密器件作为设计组件用途广泛,适用于各种模拟小信号应用,如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。它们在有限工作电压应用中也表现出色,如极低电平电压钳位和微功耗常通电路。 除了精密匹配对电气特性外,每个单独的EPAD MOSFET还具有良好可控的制造特性,使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件专为最小失调电压和差分热响应而设计,可用于+0.1V至+10V(± 0.05V至± 5V)供电系统中的开关和放大应用,这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。当VGS > +0.40V时,器件呈现增强模式特性;而当VGS < +0.40V时,器件在亚阈值电压区域工作,呈现传统的亚阈值特性,关断和亚阈值电平可控,与标准增强模式MOSFET的工作方式相同。 ALD212904具有高输入阻抗(2.5 × 10^10Ω)和高直流电流增益(>10^8)。在25°C下,漏极输出电流为30mA、输入电流为300pA时,直流电流增益的示例计算为30mA / 300pA = 100,000,000,这意味着动态工作电流范围约为八个数量级。

• 精确的VGS(th) = +0.40 V ± 0.020 V
• VOS(VGS(th)匹配)最大10mV
• 亚阈值电压(微功耗)工作
• 最小工作电压< 400 mV
• 最小工作电流< 1nA
• 最小工作功率< 1nW
• 工作电流范围> 100,000,000:1
• 高跨导和输出电导
• 低RDS(ON)为14Ω
• 输出电流>50 mA
• 匹配和跟踪温度系数
• 严格的批次间参数控制
• 正、零和负VGS(th)温度系数
• 低输入电容和泄漏电流

-低开销电流镜和电流源-零功耗常通电路-能量收集电路-极低电压模拟和数字电路-零功耗故障安全电路-备用电池电路和电源故障检测器-极低电平电压钳位-极低电平过零检测器-匹配源极跟随器和缓冲器-精密电流镜和电流源-匹配电容式探头和传感器接口-电荷检测器和电荷积分器-高增益差分放大器输入级-匹配峰值检测器和电平转换器-多通道采样保持开关-精密电流倍增器-分立匹配模拟开关/多路复用器-微功耗分立电压比较器