- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DDTA114TE-7-F
DDTA114TE-7-F
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DDTA114TE-7-F
- 商品编号
- C17605876
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | - | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.5uA |
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 提供互补NPN类型（DDTC）
- 仅内置偏置电阻R1
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- MDM-21PSL-A141
- IPD1-10-D-K
- 690157001272
- QLA874B-4G
- 6-292165-8
- ELC-3GN3R3N
- M6P-BAS2-24EO
- QTM750-3.6864MBE-T
- 941L001M12-10SX
- XTEAWT-00-0000-00000BFD2
- SIT8208AC-21-25E-54.000000
- 1731090448
- 8D015F35SA-LC
- PRV6AHREJYB25502KA
- GTT50A-TPR-BLM-B0-H1-CU-VPT
- ECS-2520S33-320-FN-TR
- SIT8208AI-2F-25S-18.432000T
- 25QHM572D2.0-116.625
- HIF3H-26PB-2.54DSA(61)
- EVAL-ADM3260EBZ
- VOS615AT