IL223AT
DC 4kV
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- 描述
- IL221AT、IL222AT、IL223AT 是高电流传输比(CTR)光耦合器,采用砷化镓红外 LED 发射器和硅 NPN 光电达林顿晶体管探测器。该器件在 1.0 mA 的 LED 电流下测试其电流传输比。这种低驱动电流便于实现从 CMOS 到 LSTTL 或 TTL 的轻松接口连接
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IL223AT
- 商品编号
- C17604793
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 带基极的达林顿晶体管 | |
| 正向压降(Vf) | 1V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 4kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 30V | |
| 输出通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@0.5mA | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 500% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | - | |
| 总功耗(Pd) | 240mW | |
| 正向电流(If) | 60mA | |
| 功能特性 | 达林顿输出结构 |
商品概述
IL221AT、IL222AT、IL223AT 是高电流传输比(CTR)光耦合器,采用砷化镓红外 LED 发射器和硅 NPN 光电达林顿晶体管探测器。 该器件在 1.0 mA 的 LED 电流下测试 CTR。这种低驱动电流便于实现从 CMOS 到 LSTTL 或 TTL 的轻松接口。 这款光耦合器采用标准 SOIC - 8 封装,非常适合高密度应用。除了无需通孔安装外,该封装还符合表面贴装器件标准。
商品特性
- 隔离测试电压:4000 VRMS
- 行业标准 SOIC - 8 表面贴装封装
- 标准引脚间距:0.05"
- 仅提供卷带包装(符合 EIA 标准 RS481A)
- 适用于双波峰焊、气相焊和红外回流焊
- SIT1602BC-81-28N-72.000000
- 0988191020
- RCS1005J133CS
- 09300165406
- STMM-122-02-S-D-SM-LC
- RT055AS2701KB
- NOIX5SN5000B-LTI1
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- E52-IC15AY D=1 4M
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- 660-013NF25S5-09
- SIT1602BC-33-33N-66.600000
- TFM-115-12-S-D-K-TR
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- 511AAA156M250CAGR
- SIT1602BC-22-28N-14.000000
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