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SSM6L56FE,LM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 描述
- 特性：1.5V 驱动。 低漏源导通电阻: -Q1 N 沟道: -RDS(ON) = 235 mΩ（最大值）（VGS = 4.5 V，ID = 800 mA）。 -RDS(ON) = 300 mΩ（最大值）（VGS = 2.5 V，ID = 600 mA）。 -RDS(ON) = 480 mΩ（最大值）（VGS = 1.8 V，ID = 200 mA）。应用：高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6L56FE,LM
- 商品编号
- C17604697
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 840mΩ@1.5V,50mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 55pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF；16pF |
商品特性
- 超结MOSFET
- 超低导通电阻RDSon
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 坚固耐用
- 开尔文源极，易于驱动
- 极低杂散电感
- 内置热敏电阻用于温度监测
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电机控制
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