商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.6pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.6pF |
- IPT1-110-09-S-D
- DB-25S-A197
- 0391001904
- 09643127230
- SIT1602BC-11-XXS-66.000000
- CAM.130.TG
- VS-ST180S04P0V
- HD1-6406-8
- 3516-0-00-80-00-00-03-0
- SIT8208AI-33-33S-10.000000
- SEN-00242
- GT15C-3S
- 26481036
- 25QHM53D4.0-33.330
- RSF2B-273-JBW
- B57891M0474K000
- VS-6FLR80S05
- SIT1602AI-83-33S-25.000000
- 660-023NF17R4-01
- 712-83-140-41-001101
- 3443R-36K

