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APT75GP120B2G
APT75GP120B2G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT75GP120B2G
- 商品编号
- C17602893
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 11.533333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 1.042kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 100A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.9V@15V,75A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 320nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 163ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 800V、20A时可实现100kHz运行
- 低栅极电荷
- 800V、38A时可实现50kHz运行
- 超快速尾电流关断
- 具备反向偏置安全工作区额定值
- 125-6R2-JTW
- SIT8208AC-8F-18E-4.000000Y
- SIT8208AI-32-18S-74.176000
- M80-5012642
- 25QHM53D1.0-54.000
- LTMM-120-02-T-D-RA
- SG-8018CG 82.5000M-TJHSA0
- 712-83-120-41-001101
- 510NAB4M00000AAG
- C3391-30.000
- TFM-120-02-S-DH
- 941-005MJ43SA-1R
- 510CCA25M0000CAGR
- 557-477XB4A
- SG-8018CG 14.7456M-TJHPA0
- EHF-120-01-F-D-SM-01
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- P1812-334J
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