PMV55ENEA,215
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 8.36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 646pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49pF |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的小尺寸 SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装 N 沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
- 沟槽 MOSFET 技术
- 静电放电（ESD）保护 >2 kV HBM
- 通过 AEC - Q101 认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低端负载开关
- 开关电路
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