ALD110802PCL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 220mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 增强型(常开)
- 精确的栅极阈值电压+0.20V
- MOSFET之间特性匹配
- 严格的批次间参数控制
- 低输入电容
- VGS(th)匹配(VOS)至10mV
- 高输入阻抗 — 典型值10^12 Ω
- 正、零和负VGS(th)温度系数
- 直流电流增益>10^8
- 低输入和输出泄漏电流
应用领域
- 超低功耗(纳瓦级)模拟和数字电路
- 超低工作电压(<0.20V)电路
- 亚阈值偏置和操作电路
- 精密电流镜和电流源
- 纳安级电流源
- 高阻抗电阻模拟器
- 电容式探头和传感器接口
- 差分放大器输入级
- 分立电压比较器和电平转换器
- 电压偏置电路
- 采样保持电路
- 模拟和数字反相器
- 电荷检测器和电荷积分器
- 源极跟随器和高阻抗缓冲器
- 电流倍增器
- 分立模拟开关/多路复用器
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