IXTP1R4N120P
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:1.4A
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTP1R4N120P
- 商品编号
- C17597761
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 86W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 666pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
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