商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W |
商品概述
将先进的30伏P沟道Trench II工艺与±25伏Vgs（绝对最大栅极额定值）相结合，打造出具有极低导通电阻rDS(on)的电池保护MOSFET。该MOSFET还在封装技术上取得了突破，使器件兼具出色的热传导特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低导通电阻rDS(on)等优点。
商品特性
-高功率增益-低互调失真-易于功率控制-良好的热稳定性-可承受全负载失配-镀金金属化确保出色的可靠性。
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
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