商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W |
商品概述
硅N沟道增强型垂直D-MOS晶体管,专为HF/VHF频段的大信号放大器应用而设计。 该晶体管采用带陶瓷帽的4引脚SOT123A翼形封装,所有引脚与翼形散热片绝缘。 提供显示栅源电压(VGS)信息的标记代码,适用于配对应用。
商品特性
-高功率增益-低互调失真-易于功率控制-良好的热稳定性-可承受全负载失配-镀金金属化确保出色的可靠性。
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
其他推荐
- ISL5314EVAL2
- XFP236312.500000I
- SDB-25PMMS-SL8001
- 1731120133
- VS-VSKH162/16PBF
- LCDX8-10AF-L
- SIT1618BE-71-33E-16.000000
- 0009507221
- 1-2169663-0
- SKY66408-11EK1
- SIT9365AI-1E2-25E133.333333
- DDMF50SR
- ISL29023IROZ-EVALZ
- 3QHM572C0.125-41.666
- LC75372ED-E
- GP55-3240-FBW
- 0022045105
- 3J2305-G2-N3AG
- 1532B
- 8131-0-15-01-30-02-10-0
- GT32-19DP-0.75CB