- 引脚图
- 焊盘图
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RJP65T43DPQ-A0#T2
RJP65T43DPQ-A0#T2
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJP65T43DPQ-A0#T2
- 商品编号
- C17596450
- 商品封装
- TO-247A
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 35ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 105ns | |
| 工作温度 | - |
商品概述
RJP65T43DPQ - A0型IGBT应用于功率因数校正电路。
商品特性
- 集电极 - 发射极饱和电压低，VCE(sat)典型值为1.8 V（在Ic = 20 A、VGE = 15 V、Ta = 25℃条件下）
- 采用沟槽栅和薄晶圆技术（G7H系列）
- 高速开关，tf典型值为45 ns（在VCC = 400 V、VGE = 15 V、Ic = 20 A、Rg = 10 Ω、Ta = 25℃、感性负载条件下）
- 工作频率范围为20 kHz ≤ f < 100 kHz
- 集电极电流额定值IC = 30 A（在Tc = 100℃条件下）
- 不保证短路耐受时间
应用领域
功率因数校正电路
- SIT1602BCR83-33E-50.000000
- 2-104482-0
- SPMWH1229AD5SGVKSB
- 3QHM572D4.0-25.125
- SIT8208AC-G2-33S-62.500000X
- NHQMM303B400T10
- 3QHM572C0.5-43.4835
- SIT9365AI-4B2-28N325.000000
- MS3437B50N
- MPI-650-36
- 09654625813
- SIT1602BC-71-18S-62.500000
- SIT8209AC-31-33S-106.250000
- 25QHM572D2.0-65.667
- XLH326100.000000X
- PCSDR74-471M-RC
- 637-078-330-048
- S1M025T-26.000-R
- SCP7VT78HEL1VLS06E
- 45204-600230
- SIT8208AC-23-18E-4.096000