PJS6801_S1_00001
2个P沟道 耐压:30V 电流:3.2A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJS6801_S1_00001
- 商品编号
- C17596410
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 栅源电压(VGS)为 -10V、漏极电流(ID)为 -3.2A 时,导通电阻(RDS(ON))<74mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏极电流(ID)为 -2.3A 时,导通电阻(RDS(ON))<83mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏极电流(ID)为 -1.4A 时,导通电阻(RDS(ON))<115mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、脉宽调制(PWM)应用等设计
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 采用符合 IEC 61249 标准的环保模塑化合物
应用领域
- 笔记本电脑-负载开关-电池保护-手持仪器
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