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AS4C16M16SB-6TINTR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AS4C16M16SB-6TINTR

16M x 16 bit 同步动态随机存取存储器

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私有库下单最高享92折
描述
AS4C16M16SB 是一款高速 CMOS 同步动态随机存取存储器 (SDRAM),内部配置为 4 个 4M 字 x 16 位的 DRAM,具有同步接口。支持 166MHz 的快速时钟速率,访问时间低至 5/5.4ns,适用于高性能 PC 应用。
品牌名称
Alliance Memory
商品型号
AS4C16M16SB-6TINTR
商品编号
C17595511
商品封装
TSOP-54-10.2mm​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录同步动态随机存取内存(SDRAM)
属性参数值
功能特性自动预充电;自动刷新;高速时钟同步

商品概述

AS4C16M16SB SDRAM是一款高速CMOS同步动态随机存取存储器(SDRAM),容量为256 Mbit。它内部配置为4个存储体,每个存储体包含4M字×16位DRAM,并具有同步接口(所有信号在时钟信号CLK的上升沿进行寄存)。对SDRAM的读写访问采用突发模式;访问从选定位置开始,并按照编程的顺序持续访问编程数量的位置。访问始于BankActivate命令的寄存,随后是读或写命令。

AS4C16M16SB支持可编程的读或写突发长度,包括1、2、4、8或整页,并且具有突发终止选项。可以启用自动预充电功能,以在突发序列结束时启动自定时行预充电。刷新功能(自动刷新或自刷新)易于使用。通过可编程模式寄存器,系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些器件非常适合需要高内存带宽的应用,尤其适用于高性能PC应用。

商品特性

  • 时钟访问时间快:5/5.4 ns
  • 时钟速率快:166/143 MHz
  • 完全同步操作
  • 内部流水线架构
  • 4M字×16位×4存储体
  • 可编程模式寄存器
  • CAS延迟:2或3
  • 突发长度:1、2、4、8或整页
  • 突发类型:顺序或交错
  • 突发停止功能
  • 自动刷新和自刷新,8192次刷新周期/64ms
  • CKE掉电模式
  • 单+3.3V ±0.3V电源供电
  • 工作温度:商用:TA = 0 ~ 70°C;工业用:TA = -40 ~ 85°C
  • 接口:LVTTL
  • 54引脚400密耳塑料TSOP II封装,无铅无卤
  • 54球8.0×8.0×1.2mm(最大)FBGA封装,无铅无卤

数据手册PDF