IS46TR16640ED-15HBLA2-TR

该文档介绍了128MX8、64MX16 1Gb DDR3 SDRAM带ECC功能的相关信息，包括产品特性、ECC功能、选项配置、地址表、引脚说明、功能描述以及上电初始化流程等。上电初始化时需按特定顺序操作，如先施加电源，RESET#保持低电平一段时间，时钟稳定后CKE激活等，同时对电压、引脚电平、ODT信号等有相应要求。

• 标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• 高速数据传输率，系统频率高达800MHz
• 8个内部存储体，可并发操作
• 8n位预取架构
• 可编程CAS潜伏期
• 可编程附加潜伏期：0、CL - 1、CL - 2
• 基于tCK的可编程CAS写潜伏期（CWL）
• 可编程突发长度：4和8
• 可编程突发序列：顺序或交错
• 即时BL切换
• 自动自刷新（ASR）
• 自刷新温度（SRT）
• 单比特错误纠正（每64位）
• 突发长度和数据掩码限制
• 配置：128Mx8、64Mx16
• 封装：x16为96球FBGA（9mm x 13mm），x8为78球FBGA（8mm x 10.5mm）
• 刷新间隔：7.8μs（8192周期/64ms），Tc = -40°C至85°C；3.9μs（8192周期/32ms），Tc = 85°C至105°C；1.95μs（8192周期/16ms），Tc = 105°C至125°C
• 部分阵列自刷新
• 异步RESET引脚
• 支持TDQS（终结数据选通）（仅x8）
• OCD（片外驱动器阻抗调整）
• 动态ODT（片上终结）
• 驱动器强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240Ω）
• 写校准
• 工作温度：汽车级，A1（Tc = -40°C至+95°C）；汽车级，A2（Tc = -40°C至+105°C）；汽车级，A3（Tc = -40°C至+125°C）