MV2N5115UB/TR
MV2N5115UB/TR
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MV2N5115UB/TR
- 商品编号
- C17595304
- 商品封装
- SMD-3P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | - | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 3V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 15mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | P沟道 |
商品特性
- 对称几何结构允许这些单元在源极/漏极引线互换的情况下工作。
- 当环境温度TA > +25°C时,以3.0 mW/°C的速率线性降额。
- 封装:陶瓷。
- 引脚:镀镍底层上镀金。仅商业级提供符合RoHS标准的哑光/镀锡。
- 标记:产品编号、日期代码、制造商标识。
- 卷带包装选项:符合EIA - 418D标准。具体数量咨询厂家。
- 重量:<0.04克。
- MMDT2907VQ-7
- PTR901-1020K-B502
- DF20EF-50DP-1V(91)
- DTC043XMT2L
- 531FB333M000DGR
- XB4AB2
- MLX90290LUA-AAA-631-SP
- SIT8208AC-G1-28S-33.333000X
- DD62M2F00Z/AA
- ASFL1-50.000MHZ-LR-T
- ZYSWA-2-50DR+
- XPLAWT-H0-0000-000LU50E5
- SG-8018CE 74.1750M-TJHPA0
- TFML-115-02-H-D-TR
- SIT8208AC-8F-33E-4.000000Y
- GCM2195G1H911JA16D
- STMM-125-02-F-D
- 5025840361
- SG-8018CG 148.428582M-TJHPA0
- SG-8018CG 16.6670M-TJHPA0
- 516-090-540-522

