- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DDTA114WE-7-F
DDTA114WE-7-F
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DDTA114WE-7-F
- 商品编号
- C17595076
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 24 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 输入电阻 | - | |
| 电阻比率 | 0.47 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 提供互补NPN类型（DDTC）
- 内置偏置电阻，R1≠R2
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑的“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 0014562043
- M80-5102022
- 627-009-322-242
- SG-8101CA 89.0000M-TBGPA0
- 4302-152H
- SG-8018CG 1.6384M-TJHPA0
- SIT8208AC-2F-28E-48.000000T
- 662103136022
- 621-037-260-552
- GCM2195G1H752JA16J
- PG306R_R2_00001
- BFS-PGE-120S4M-CS
- TFML-107-02-L-D-SN2-K-TR
- 690357281476
- RCS2012F1582CS
- 516-056-500-311
- GCM21BR71H154MA37K
- XTEAWT-E0-0000-00000BL50
- VPS10-13000
- SIT8208AI-G2-33S-48.000000T
- GCM0335C1HR16BA16J