商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 431W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 118A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽栅场截止型IGBT
- 方形反向偏置安全工作区（RBSOA）
- HEXFRED®二极管，低反向恢复电荷Qrr，低开关能量，符合RoHS标准
- 集电极 - 发射极导通电压VCE(on)正温度系数
- 铜基板
- 低杂散电感设计
- 专为工业市场设计并通过认证
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