嘉立创上市
购物车0
IS21ES64G-JQLI引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS21ES64G-JQLI

64GB eMMC 带 eMMC5.0 接口

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
ISSI(北京矽成)
商品型号
IS21ES64G-JQLI
商品编号
C17594856
商品封装
LFBGA-100(14x18)​
包装方式
托盘
商品毛重
12.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量512Gbit
接口类型-
时钟频率(fc)200MHz
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)-
属性参数值
块擦除时间(tBE)-
数据保留 - TDR(年)-
工作温度-40℃~+85℃
待机电流211uA
擦写寿命-
功能特性硬件复位功能;坏块管理功能;ECC纠错功能;安全擦除功能
ECC

商品概述

ISSI eMMC产品遵循JEDEC eMMC 5.0标准,是工业和车载嵌入式存储解决方案的理想选择,可在宽泛的工作温度范围内提供高性能。eMMC将MLC NAND闪存和eMMC控制器集成于一个JEDEC标准封装内,为主机提供标准接口。eMMC控制器直接管理NAND闪存,包括纠错码、磨损均衡、每秒输入输出操作优化和读取感应。

商品特性

  • 采用eMMC 5.0接口的封装式NAND闪存
  • 符合eMMC规范版本4.4、4.41、4.5、5.0
  • 高速eMMC协议
  • 时钟频率:0~200MHz
  • 十线总线(时钟、1位命令线、8位数据总线)和硬件复位
  • 支持三种不同的数据总线宽度:1位(默认)、4位、8位
  • 数据传输速率:最高52M字节/秒(在52MHz下使用8条并行数据线)
  • 单数据速率:最高200M字节/秒 @ 200MHz(HS200)
  • 双数据速率:最高400M字节/秒 @ 200MHz(HS400)
  • 工作电压范围:VCCQ = 1.8V/3.3V,VCC = 3.3V
  • 支持增强模式,可将设备配置为伪单层单元闪存,以获得更高的读写性能、耐用性和可靠性
  • 无差错内存访问
  • 内部纠错码保护数据通信
  • 内部增强型数据管理算法
  • 提供针对突然断电的可靠保护,支持数据内容的安全更新操作
  • 支持安全坏块擦除和修剪命令
  • 增强型写保护,提供永久和部分保护选项
  • 现场固件更新
  • 引导分区和重放保护内存块分区
  • 增强的设备使用寿命
  • 寿命终止前信息
  • 生产状态感知
  • 睡眠模式断电通知
  • 工作温度:工业级:-40℃ ~ 85℃,车载级(A1):-40℃ ~ 85℃
  • 存储温度:-40℃ ~ 85℃
  • 符合RoHS标准
  • 封装:153 FBGA(11.5mm × 13mm × 1.0mm),100 FBGA(14.0mm × 18.0mm × 1.4mm)

数据手册PDF