商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 82 |
商品特性
- 内置偏置电阻
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路（见内部电路）
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，还具有完全消除寄生效应的优点
- 互补PNP类型：DTA115G系列
- 无铅/符合RoHS标准
应用领域
- 开关电路
- 反相器电路
- 接口电路
- 驱动电路
- TFC-125-12-F-D-A
- 630-24W7650-1N1
- GCM1555G1H6R0CA16J
- SIT8208AC-GF-25E-16.369000T
- 151-10-316-00-004000
- 629-25W3250-2NC
- SG-8018CA 40.9200M-TJHPA0
- HTST-113-01-LM-DV
- 3-2842286-8
- MX25002PN1
- SI8273BB-IS1
- SG-8018CE 49.0900M-TJHPA0
- SIT8208AI-8F-33E-32.002000T
- SIT8208AC-3F-28S-33.333330T
- ATM13-12PD-BM04
- RFN10TF6SC9
- 516-038-500-506
- CTSPI2D15F-1R2N
- 630-11W1240-5N2
- TEM-125-02-07.0-H-D-WT
- GCM188L81H221KA03J