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当今的移动设备比以往更加智能。近期的创新正在实现与智能手机交互的全新方式，包括高级用户认证、增强现实、自然语言识别和个性化成像功能。这些先进的用户体验由人工智能（AI）实现，并由专用的片上AI处理引擎驱动。旗舰智能手机中AI的出现推动了对更先进存储解决方案的需求，以实现更快、更高效的数据访问。分析公司Gartner预测，到2022年，80%的智能手机将具备设备端AI能力，这增加了在本地处理和存储更多数据的需求。如果您正在设计下一代移动用户体验，美光创新的64层三层单元3D NAND技术解决了存储性能挑战。它提供了您所需的速度和特性，并且容量高于上一代NAND技术。通过利用我们的阵列下CMOS技术，我们新的移动NAND产品将更多存储单元封装在更小的芯片面积内，实现了业界最小的32GB芯片物理尺寸。我们独特的方法将所有闪存层置于逻辑阵列之上，最大限度地利用了智能手机设计中的空间。此外，您还可以通过我们采用通用闪存存储2.1标准的精选3D NAND产品，实现超快的移动体验。凭借UFS，您可以：显著提升读写速度和启动时间；体验无缝高清流媒体、更高带宽的游戏和更快的多媒体文件加载；在拍摄连拍照片（如全景或动作镜头）时增强移动相机性能。

• 行业领先的写入性能——提供40，000 IOPS的随机写入，64层TLC 3D NAND产品性能比上一代TLC 3D NAND快50%。
• UFS 2.1高速Gear 3接口——提供比e.MMC 5.1高200%的带宽；使用命令队列技术同时读写命令。
• 4K读取模式——改善随机读取性能。
• 采用峰值功率管理系统，显著降低智能手机中的存储器峰值功耗。
• 采用阵列下CMOS技术的64层TLC 3D NAND技术，在保持相同封装尺寸的同时，将存储密度提升至上一代TLC 3D NAND的两倍。
• 独特的浮栅技术相比竞争对手使用的电荷捕获栅，提供了更优的数据保持能力。

• 旗舰智能手机
• 超小型化设备