商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
-高温下最低的传导损耗-低开关损耗-高短路耐受能力-低栅极电阻-高雪崩能力:单脉冲雪崩和重复雪崩-专利SiC技术-更低的功率损耗-更易散热、系统小型化和更高的可靠性
应用领域
- 商用:驱动装置、空调、配电
- 工业领域:电机驱动、焊接、不间断电源(UPS)、开关模式电源、感应加热
- 交通运输/汽车:电动汽车(EV)电池充电器、混合动力汽车(HEV)动力系统、DC-DC转换器、能量回收
- 智能能源:光伏(PV)逆变器、风力发电机
- 医疗领域:MRI电源、X光电源