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评估新型功率MOSFET解决方案的实施并比较MOSFET性能，需要一个功能性的硬件设置，为不同器件封装提供可比较的布局特性。该平台提供了一个易于使用的解决方案，适用于从单个半桥到三相逆变器（电机驱动拓扑）等多种设置中对功率MOSFET进行初步评估。该平台提供了一种简便的功率MOSFET并联方法，无需在绝缘金属基板（IMS）电路板上进行焊接过程。所有必要的连接均通过板载连接器建立。这提供了一种快速的硬件需求验证方法，因为该平台可用于替代各种初步测试设计，从而缩短初始设计阶段。该模块化平台由不同的板卡（模块）组成，可用于构建多种功能性功率组件。模块化提供了一系列拓扑选项，具有不同的功率处理能力。该概念可支持基于半桥、全桥或三相拓扑的应用。根据在设置中的角色（或功能），模块可分为五类：功率板（MOSFET半桥配置）、母板和主母板（栅极驱动板，连接到第一个并联的功率板）、子板（栅极驱动器与并联功率板之间的互连）、电容板（可容纳多达12个连接到直流母线的电容器的PCB）以及控制板（XMC4400驱动演示板）。任何设置均由一个控制板（例如，通过X3连接器连接到主母板的XMC™“驱动卡 – XMC4400”）控制。该设置可通过在母板总线（MB BUS）上使用带状电缆连接额外的母板，扩展为多相设置。每个相可以通过并联多个功率板进行扩展。功率板是基于IMS PCB的半桥子组件。包含单个高边和单个低边MOSFET以及所有必要的连接器，以提供电源和栅极驱动连接，功率板是模块化平台的基本构建块。可用的功率板版本实现了不同的MOSFET封装，同时保持相同的互连布局，因此所有不同的功率板版本可以互换。设计中采用的封装类型包括：TO-无引线（TOLL）、D2PAK-7和D2PAK。该模块化平台专为测试目的而设计。板上提供了多个测试点连接器。高边漏极（DC+节点）处提供的跳线使用户能够利用罗氏线圈电流探头进行MOSFET漏极电流测量。提供了SMD连接器X3、X4和X5用于大电流能力互连。可以使用电缆接线片或铜条通过标准的M5螺纹螺钉连接到连接器进行电源连接。主母板和母板为每个半桥的高边和低边MOSFET提供栅极驱动器。两者之间的区别在于与控制板的连接。该连接仅在主母板上可用，同时板载电源子电路为XMC控制板提供5V电源线。