商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 75mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| FET类型 | N沟道 |
- SG-8018CG 69.5500M-TJHSA0
- SK-GEN4-50DT
- 103-330KS
- 0194280017
- 2330260000
- 0430613014
- SIT8208AI-3F-25S-33.333300X
- SIT8208AI-81-28E-10.000000
- TFML-105-02-F-D-A
- SIT1602BC-73-28S-60.000000
- SIT8256AI-81-25S-156.261718
- 516-020-520-525
- RC0603F2944CS
- SG-8018CB 38.9400M-TJHPA0
- 4-640432-5
- SHF-120-01-S-D-SM-TR
- SIT8208AC-3F-25S-19.200000Y
- MTO-EV016(TC78H630FNG)
- 03GEEW3E-R
- E110K10R
- EVAL-6SC70EBZ