温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PJQ1821_R1_00001

2个P沟道耐压:20V 电流:600mA

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJQ1821_R1_00001
商品编号: C17589476
商品封装: DFN1010-6L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.015克(g)

商品参数

商品概述

MwT-PH31F是一款AlGaAs/InGaAs pHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为1200微米，非常适合在高达18 GHz频率范围内需要高增益和中功率的应用。该器件在宽带或窄带应用中同样有效。该芯片采用可靠的金属系统制造，并进行了钝化处理，以确保出色的可靠性。

商品特性

先进沟槽工艺技术
专为开关负载、PWM应用等特殊设计
具备ESD保护
符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
采用符合IEC 61249标准的环保模塑料

应用领域

商业应用

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	600mA
	导通电阻(RDS(on))	600mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	400mW
	阈值电压(Vgs(th))	1V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	1.1nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	51pF
	反向传输电容(Crss)	2.2pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	15pF