- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJQ1821_R1_00001
2个P沟道 耐压:20V 电流:600mA
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ1821_R1_00001
- 商品编号
- C17589476
- 商品封装
- DFN1010-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 51pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
MwT-PH31F是一款AlGaAs/InGaAs pHEMT（赝配高电子迁移率晶体管）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为1200微米，非常适合在高达18 GHz频率范围内需要高增益和中功率的应用。该器件在宽带或窄带应用中同样有效。该芯片采用可靠的金属系统制造，并进行了钝化处理，以确保出色的可靠性。
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特殊设计
- 具备ESD保护
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑料
应用领域
- 商业应用
- SIT8208AI-8F-33S-4.000000Y
- HSM320J/TR13
- XPGBWT-L1-R250-00EF5
- SIT8208AI-8F-33E-25.000625T
- XEGAWT-H2-0000-000-00000HT327H
- SRR0745A-331M
- LRW0603WKR15GG001E
- 748026-1
- 180-062-213R021
- SG-8018CG 106.813186M-TJHPA0
- SI8231AB-D-IS1
- GBPC2501W-G
- SG-8018CB 30.0000M-TJHSA0
- TG32-L25CQ25T1-270.000M-TR
- L150-3080500600000
- TFM-150-12-S-D-LC-TR
- SG-8018CA 27.2300M-TJHPA0
- EHT-112-01-F-D-01
- SG-8018CA 156.2570M-TJHPA0
- GCM0335C1E910FA16D
- CPPC7L-A3B6-49.152TS