商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 48ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 33.7ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
BIDW20N60T绝缘栅双极晶体管（IGBT）结合了MOS栅极和双极晶体管的技术，是高压和大电流应用的最佳组件。该器件采用先进的沟槽栅场截止技术，能更好地控制动态特性，同时降低传导损耗和开关损耗。此外，这种结构具有正温度系数。
商品特性
- 1600V、20A，低集电极 - 发射极饱和电压（VcE(sat)）
- 新型沟槽栅场截止技术
- 针对传导进行优化
- 低开关损耗
- 符合RoHS标准
应用领域
开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）、步进电机
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