商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 当VGS为 -4.5V、ID为 -0.5A时，RDS(ON) < 390mΩ
- 当VGS为 -2.5V、ID为 -0.3A时，RDS(ON) < 560mΩ
- 当VGS为 -1.8V、ID为 -0.1A时，RDS(ON) < 990mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等设计
- 静电放电（ESD）防护达2KV HBM
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料
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