W29N02KVBIAE TR
2G-BIT 3.3V NAND FLASH MEMORY
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- 描述
- W29N02KV系列是2Gbit密度的NAND FLASH存储器,工作电压为2.7V至3.6V,支持标准NAND命令集,适用于低功耗和高效能的应用场景。
- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W29N02KVBIAE TR
- 商品编号
- C17585945
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 25ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 擦写寿命 | 6万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能 |
商品概述
W29N02KV(2G位)NAND闪存为空间、引脚和电源有限的嵌入式系统提供存储解决方案。它非常适合将代码映射到RAM、固态应用以及存储语音、视频、文本和照片等媒体数据。该器件在2.7V至3.6V单电源下工作。
- SG-8018CA 56.4000M-TJHPA0
- ARC40-BT-RA
- HTST-120-01-SM-DV-P-TR
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- EVAL-ADV7280MEBZ
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- FS48-750
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- 108007-ZZ
- SRR1210A-390M
- CDRH8D38/ANP-101MC
- SG-8018CE 7.0560M-TJHSA0
- ZSS-105-07-G-D-1085
- 714-83-158-31-012101
