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NCD57256DR2G

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描述: 高电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCD57256DR2G
商品编号: C17585826
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.315克(g)

商品参数